|
تفاصيل المنتج:
|
| حجم الرقاقة: | 4 مم 2 | طَرد: | SMD 5050 |
|---|---|---|---|
| سمات: | نافذة كوارتز عالية الشفافية ، حساسية عالية ، تيار مظلم منخفض | الطول الموجي للاستجابة: | 210-370 نانومتر |
| تطبيق نموذجي: | كشف ملوثات الغاز | ||
| إبراز: | الكشف عن الغاز بمستشعر الأشعة فوق البنفسجية,مستشعر الثنائي الضوئي للأشعة فوق البنفسجية 4 مم 2,الصمام الثنائي للصور فوق البنفسجية |
||
وصف المنتج:
GS-ABC-5050XLQ GaN-based UV Photodiode
سمات:
ل UVA + UVB + UVC الضوئي
ل عملية الوضع الكهروضوئية
ل حزمة سيراميك SMD 5050 مع نافذة كوارتز
ل العمى المرئي الجيد
ل استجابة عالية وانخفاض تيار الظلام
التطبيقات: مراقبة مؤشر الأشعة فوق البنفسجية ، وقياس جرعة الأشعة فوق البنفسجية ، وكشف اللهب المواصفات: المعلمات وحدة القيمة الرمز الحد الأقصى من التقييمات
نطاق درجة حرارة التشغيل Topt -25-85 درجة مئوية
نطاق درجة حرارة التخزين Tsto -40-85 درجة مئوية
درجة حرارة اللحام (3 ثوان) تسول 260 درجة مئوية
الجهد العكسي Vr-max -10 V
الخصائص العامة (25 درجة مئوية) حجم الشريحة أ 4 مم 2 تيار داكن (Vr = -1 V) معرف
<1 nA معامل درجة الحرارة (@ 265 نانومتر) Tc 0.05٪ / oC السعة (عند 0 فولت و 1 ميجا هرتز) Cp 72 pF>
<1 nA معامل درجة الحرارة (@ 265 نانومتر) Tc 0.05٪ / oC السعة (عند 0 V و 1 MHz) Cp 18 p>
تحديد:
| الطول الموجي لذروة المسؤولية | λ ص 355 نانومتر |
| ذروة المسؤولية (عند 385 نانومتر) | Rmax 0.20 A / W |
| نطاق الاستجابة الطيفية (R = 0.1 × Rmax) | 210-370 نانومتر |
| نسبة رفض الأشعة فوق البنفسجية المرئية (Rmax / R450 نانومتر) | -> 10 - |
اتصل شخص: Xu
الهاتف :: 86+13352990255
