|
تفاصيل المنتج:
|
| Receiving surface: | 5.8 × 5.8 mm | Package category: | TO-8 |
|---|---|---|---|
| Reverse voltage (Max.): | 5V | Dark current (Max.): | 20 pA |
| إبراز: | ثنائي الصور السيليكوني فوق البنفسجي,ثنائي الصور السيليكوني عالي الموثوقية,التصوير الضوئي الدقيق الديود الضوئي السيليكوني,High Reliability Silicon Photodiode,Precision Photometry Silicon Photodiode |
||
وصف المنتج:
S1226-8BK ثنائي الصور السيليكوني عالي الموثوقية مناسب للقياس الضوئي الدقيق من الأشعة فوق البنفسجية إلى الضوء المرئي
الخصائص:
مناسبة للقياس الضوئي الدقيق في الأشعة فوق البنفسجية إلى الأطوال المُرَاءة للموجات؛ قمع حساسية الأشعة تحت الحمراء القريبة
الخصوصية
- حساسية عالية للأشعة فوق البنفسجية: QE = 75% (λ = 200 nm)
-قمع حساسية الأشعة تحت الحمراء القريبة
- تيار مظلم منخفض
- موثوقية عالية
سطح الاستقبال 5.8 × 5.8 ملم
المعدن المغلف
فئة الحزم إلى 8
نوع التبريد غير المبرد
الجهد العكسي (أكثر) 5 فولت
نطاق الاستجابة الطيفية 320 إلى 1000 نانومتر
طول الموجة الحد الأقصى للحساسية (القيمة النموذجية) 720 نانومتر
الحساسية الضوئية (القيمة النموذجية) 0.36A / W
التيار المظلم (ماكس.) 20 pA
وقت الارتفاع (القيمة النموذجية) 2 μs
سعة التقاطع (نموذجية) 1200 pF
الطاقة المكافئة للضوضاء (القيمة النموذجية) 5.0 × 10-15 واط/هرتز1/2
ظروف القياس Ta = 25 °C ، القيمة النموذجية ، الحساسية: λ = 720 nm ، التيار المظلم: VR = 10 mV ، سعة التقاطع: VR = 0 V ، f = 10 kHz ، ما لم ينص على خلاف ذلك
المواصفات:
| نطاق الاستجابة الطيفية | 320 إلى 1000 نانومتر |
| طول الموجة الحساسة القصوى | 720 نانومتر |
| الحساسية الضوئية (القيمة النموذجية) | 0.36A / W |
| التيار المظلم (ماكس.) | 20 با |
اتصل شخص: Miss. Xu
الهاتف :: 86+13352990255
