|
تفاصيل المنتج:
|
| منطقة التصوير الفوتوغرافي: | 2.8 × 2.4 مم | عدد البكسل: | 1 |
|---|---|---|---|
| التبريد و: | غير مبرد | مغلفة: | سيراميك |
| إبراز: | S7686 مستشعر كهروضوئي IR,مستشعر كهروضوئي IR 550 نانومتر,كاشف الأشعة تحت الحمراء الكهروضوئية |
||
وصف المنتج:
S7686 SI جهاز استشعار ثنائي الأضواء بحساسية قريبة من الكفاءة الضوئية الطيفية
الخصائص:
S7686 is a silicon photodiode whose spectral response characteristics are closer to the sensitivity (spectral luminescence efficiency) of the human eye than traditional visible light compensation sensors (S1133، الخ).
الاستجابة الطيفية مشابهة لفعالية الإضاءة الطيفية CIE
حزمة سيراميكية ، موثوقية عالية
منطقة التصوير: 2.4× 2.8 ملم
استجابة عالية السرعة: 0.5 US (VR = 0 V ، RL = 1 k)ω)
قيمة Fs: 8٪ من القيمة النموذجية (انقطاع الضوء الرأسي)
وقت الارتفاع (القيمة النموذجية).0.5 يو إس
سعة التقاطع (القيمة النموذجية) 200 pF
حالة القياس TYP.TA = 25°C، ما لم ينص على خلاف ذلك، الحساسية الضوئية: λ=λp، التيار المظلم: VR=1V، سعة المحطة:VR=0 V، f=10 kHz
المواصفات:
| الجهد العكسي (ماكس.) | 10 فولت |
| نطاق الاستجابة الطيفية هو | 480 إلى 660 نانومتر |
| طول الموجة الحساسة الذروة (القيمة النموذجية) | 550 nm |
| الحساسية (القيمة النموذجية) | 0.38 A/W |
| التيار المظلم (الحد الأقصى) | 20 با |
اتصل شخص: Xu
الهاتف :: 86+13352990255
