|
تفاصيل المنتج:
|
| الكشف عن الغاز: | AsH3 | مبدأ: | الكهروكيميائية |
|---|---|---|---|
| يتراوح: | 0 - 10 جزء في المليون | حساسية: | 0.6 ± 0.2 ميكرو أمبير/جزء في المليون |
| T90 وقت الاستجابة: | ≤ 45 ق | دقة: | 0.01 جزء في المليون |
| حدود: | <± 0.2 μA | الحد الأقصى للحمل الزائد: | 10 جزء في المليون |
| إبراز: | Electrochemical Gas Sensor 0-10ppm,MOCVD Gas Sensor Semiconductor Wafer Fab,YJJ 4ASH3-10 Gas Sensor |
||
Product Description: YJJ 4ASH3-10 Electrochemical Gas Sensor 0-10ppm for Semiconductor Wafer Fab MOCVD Features: Core parameters - Detection gas: AsH3 Arsenic Hydride - Measurement range: 0 - 10 ppm - Maximum overload: 10 ppm - Sensitivity (20℃): **0.6 ± 0.2 μA/ppm** - T90 response time: **≤ 45 s** - Resolution: **0.01 ppm** - Baseline (clean air at 20℃): < ±0.2 μA - Full temperature range baseline drift (-20~50℃): equivalent < 0.5 ppm - Bias: **0 mV, no bias required** -
اتصل شخص: Miss. Xu
الهاتف :: 86+13352990255
Arabic
